磷酸二氢钾(Potassium Dihydrogen Phosphate,KDP)晶体因具有独特的光电性能,是惯性约束可控核聚变装置中不可或缺的光学元件。然而,KDP晶体材料在激光打靶过程中非常容易发生激光诱导损伤,破坏整个光学元件,从而制约了激光核聚变装置输出能量的提升。目前普遍认为晶体在加工过程中产生的表面缺陷是导致晶体抗激光损伤能力低下的主要原因,但是在考虑单种缺陷的情况下晶体的实际激光损伤阈值仍然远低于理论值。本论文将以单点金刚石飞切加工后晶体表面微纳缺陷为对象,采用仿真和实验相结合的方法,考虑多种缺陷耦合对晶体激光损伤能力的影响,进一步揭示KDP晶体的激光诱导损伤机制,并提出一种针对晶体表面微纳缺陷的新修复方法。通过对飞切加工后晶体表面微纳缺陷进行分类和统计,获得了缺陷特征形貌信息。建立了晶体表面多划痕、划痕与凹坑组合以及划痕与杂质组合的二维光场调制仿真模型,分析了多种缺陷耦合时晶体内部光强增强的综合调制机理,系统研究了缺陷尺寸、间距、相对位置等参数对综合调制的影响。研究发现晶体表面多种缺陷存在时引起的叠加效应使其内部光强强度最大可达单个缺陷情况的4倍。实验研究了KDP晶体表面多种缺陷耦合对晶体激光损伤阈值的影响,在晶体表面预置了不同间距的划痕,以及不同间距和相对位置的划痕与凹坑,对其进行激光损伤测试实验后发现:多个缺陷同时存在时晶体的激光损伤阈值明显降低,且受缺陷之间的间距和相对位置的影响,其中多划痕的激光损伤阈值仅为单划痕的45%,验证了理论仿真结果的正确性。为了降低表面加工微纳缺陷对晶体抗激光损伤能力的影响,本文提出了一种基于蘸水笔蚀刻(Dip-pen nanolithography,DPN)技术利用水溶剂介导的晶体表面微缺陷修复的新方法。根据KDP晶体材料易潮解的特性,在一定湿度和温度条件下利用探针与样品表面形成水半月板对晶体局部缺陷区域进行溶解、填充和去除,从而达到修复的目的。通过缺陷区修复前后表面形貌的对比,证明该修复方法具有明显的“去凸填凹”效果,并实验研究了影响修复速率的主要因素;通过对修复区域的表面质量测量,发现修复后晶体表面粗糙度R_a仍然维持在5nm左右,甚至更高水平,通过缺陷修复前后的光强增强分析证实了该修复方法的可行性和有效性。