随着激光技术的发展,特别是短脉冲、高功率激光器的进步,人们可获得的激光强度在不断提高,相应的电场强度可远大于原子内部的Coulomb电场的强度,在这样强的光场下,出现了许多新的现象,如阈上电离、高次谐波、高价电离等,传统的微扰理论已不再适用,这就需要新的非微扰理论来处理光与物质的相互作用.该文首先采用KFR理论计算了强场下氦原子的阈上电离电子能谱及角分布.计算结果表明,光强增加将导致电子能谱向高能方向移动以及谱宽增宽;线偏振光阈上电离表现出了比较复杂的振荡结构;电离电子角分布集中在激光偏振方向.通过引入了二次碰撞过程,采用零程势,计算了氦原子、氩原子的高阶阈上电离:沿激光偏振方向,其电子能谱在大约2Up~10Up(Up为有质动能)段出现了一个平台;偏离激光偏振方向时,平台向低能方向移动;同时还考察了电离电子的角分布,发现高阶过程中电子角分布不再是只集中在激光偏振方向,而是在一定角度范围内,出现多个电子峰.基于S阵理论,采用接触势及零程势,计算了氖原子二次碰撞二价电离过程下电子平行激光偏振方向相关动量分布及不同激光强度、波长下氦原子与氩原子二价电离电子总动量平行激光偏振方向分量的分布.计算结果再现了二次碰撞过程原子双电离的双峰结构,且峰宽度随激光有质动能的增加而变宽;当有质动能小于经典阈值时,谱峰出现振荡.文中还计算了氦原子同时刻二价电离电子总动量平行分量的分布,计算结果呈振荡结构,振荡随激光波长的增加而变得更加细密;对计算结果分析表明,强场高价电离中,同时刻电离过程可以忽略.