AC/DC变换器广泛应用于日常生活与工业应用中,如电子产品电源、通讯电源、不间断电源、工业电源等。然而,由其带来的谐波污染也严重影响电网安全,同时也对开关电源自身带来不利影响。为了限制谐波污染,国际和国内组织对于电能质量的制定的规范越来越严格,功率因数校正技术成为电力电子学科的研究热点。随着生活水平的提高,人们对电子产品诸如手机、笔记本电脑的依赖性越来越高,那么对于其电子产品及其供电设备的小型化、便携化的需求日益增加。提高功率因数校正变换器的效率与功率密度是使供电设备小型化、便携化的有效途径之一。基于硅(Si)器件的Boost PFC变换器已经被广泛研究。由于Si器件特性已经被使用接近极限,基于其的变换器特性也很难再提高。近年来,新宽禁带半导体氮化镓(GaN)的出现,由于其优越的材料属性,使GaN开关器件具有开关速度快、导通电阻低等优点。GaN器件的逐渐普及为变换器性能提高到一个新的等级提供了可能。文章系统性地介绍一款基于GaN器件的Boost PFC的设计,从主电路设计、效率分析到控制原理。最终选用NCP1654作为电路控制器并采用GaN HEMT及SiC二极管实现了一款300W 200kHz CCM Boost PFC变换器。通过仿真和实验验证了系统设计,展现了宽禁带器件在提升系统效率方面的潜力。