缺陷对材料的物性有很重要的影响，利用缺陷工程可以实现功能应用。二维材料的缺陷虽然研究很多，但是应用很少，本论文就石墨烯和二硫化钼的缺陷应用展开讨论，内容主要包括以下三个部分:　　(1)我们发展了一种增加纳米石墨烯密度的方法。该方法主要利用氩等离子体轰击连续导电的纳米石墨烯薄膜，得到的分离的纳米石墨烯的密度高达～1012cm-2，这比直接生长分立的纳米石墨烯小岛的密度提高一个数量级。用该办法得到的纳米石墨烯加工成的电荷存储器，被证明迄今为止具有基于纳米石墨烯存储器的最大的存储性能。存储窗口在8V双扫的情况下有9V的窗口，读写/擦除速度为1ms，耐受性为1000次。　　(2)二硫化钼具有优良的性能，尤其是在光学以及电学方面。类似于石墨烯，我们还初步研究了二硫化钼在电荷存储器的应用，证明了缺陷可以提高存储能力。　　(3)此外，我们还报道了将单层二硫化钼加工成一维管状结构的技术应用。我们发展了一种利用氩等离子体轰击衬底上单层二硫化钼的办法，制备二硫化钼纳米卷。通过对其光学，结构以及电学的表征，证实了纳米卷的结构。另外深入研究了该技术的机制，推测出氩等离子体造成局域的硫原子缺失，形成压力差发生了卷曲。该方法也适用于其他二维硫属化合物。