半导体纳米结构体系的制备和物性研究

来源 :中国科学院固体物理研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:motombo555
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该文共分两部分:(1)利用简单的射频磁控共溅射技术成功地制备了尺寸可控和均匀分布的纳米InP颗粒镶嵌SiO<,2>颗粒膜及InAs<,x>P<,1-x>-SiO<,2>纳米颗粒膜.并对其光学特性进行了深入、系统的研究.观测到了一些奇异现象,并给予合理的解释.为进一步认识、理解及开拓这类功能复合薄膜材料的奇异性能奠定了基础.(2)把纳米技术和传统的电化学及热氧化方法相结合,首次成功地制备出了In<,2>O<,3>纳米丝和SnO<,2>纳米丝有序阵列体系.首次利用高温一步电化学技术成功地合成出ZnO纳米丝有序阵列体系.在In<,2>O<,3>纳米丝中发现了大量氧相关缺陷态,为正确认识和理解纳米体系In<,2>O<,3>的发光机理给出了直接的实验证据.并对In<,2>O<,3>、SnO<,2>和ZnO纳米丝有序阵列体系的微结构、光致荧光特性和发光机制进行了研究.丰富和发展了有序纳米结构阵列组装体系的制备方法及研究内容.
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