本文分别采用溶胶-凝胶法和沉淀法制备了ZnO粉体，确定了粉体制备的工艺条件；对ZnO粉体进行了La、Pr气相扩渗，制备了新型ZnO导电粉；对稀土气相扩渗后ZnO粉体的组成、结构和导电性能的变化进行了研究。 溶胶-凝胶法制备ZnO粉体的工艺条件：室温，搅拌3h，煅烧温度840℃，烧结制度为200℃保温1h，400℃保温2h，840℃保温1h。沉淀法制备ZnO粉体的工艺条件：分步洗涤，滴速80滴／min，煅烧温度200℃。与溶胶-凝胶法相比，沉淀法制备出的ZnO粉体粒度分布均匀，粒径较小，在100nm左右。 对所制备的纳米ZnO粉体进行了La、Pr气相扩渗，实验结果表明，La、Pr扩渗能明显改善ZnO粉体的导电性能。当La的扩渗浓度为2％（wt），扩渗时间为4h，扩渗温度为420℃时，改性ZnO的室温电阻率最低，由扩渗前的10¹⁴Ω·cm下降到1.6×10⁶Ω·cm；当Pr的扩渗浓度为2％（wt），扩渗时间为4h，扩渗温度为400℃时，改性ZnO的室温电阻率最低，由扩渗前的10¹⁴Ω·cm下降到1.9×10⁶Ω·cm。 XRD测试表明，经过La、Pr气相扩渗，ZnO粉体的主体特征峰没有明显变化，但分别在29.5°和30.5°出现了与稀土有关的特征峰，说明La、Pr渗入了ZnO粉体，并导致了ZnO粉体导电性的提高。SEM测试表明ZnO粉体经稀土La、Pr扩渗后晶粒明显细化，团聚现象减弱。热重分析表明La扩渗后的ZnO粉体具有较好的热稳定性，有良好的应用前景。