【摘 要】
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本论文主要研究采用ECR-650复合镀膜设备制备硬质类金刚石碳膜(DLC)涂层的工艺,并对DLC涂层的性能进行了表征。通过采用电子回旋共振微波等离子体气相沉积(ECR-CVD),中频磁控溅射方法分别在单晶硅片上沉积了DLC薄膜。CVD方法中利用C2H2作为DLC薄膜的碳源,氩气为工作气体;中频磁控溅射利用高纯石墨靶材作为碳源,氩气作为工作气体,经过一系列复杂的物理或者化学过程,最终在单晶硅片基底上
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本论文主要研究采用ECR-650复合镀膜设备制备硬质类金刚石碳膜(DLC)涂层的工艺,并对DLC涂层的性能进行了表征。通过采用电子回旋共振微波等离子体气相沉积(ECR-CVD),中频磁控溅射方法分别在单晶硅片上沉积了DLC薄膜。CVD方法中利用C2H2作为DLC薄膜的碳源,氩气为工作气体;中频磁控溅射利用高纯石墨靶材作为碳源,氩气作为工作气体,经过一系列复杂的物理或者化学过程,最终在单晶硅片基底上形成了DLC薄膜,并对其进行了表面形貌分析,计算了磁控溅射法和ECR-CVD法制备DLC薄膜时的沉积速率
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