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本文采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积法(PFCVAD)制备出了具有c轴择优取向、高平整度的ZnO薄膜,研究了PFCVAD的工艺参数靶负压、衬底温度、氧气压力、退火温度对ZnO薄膜的结构、表面形貌和c轴方向应变的影响。主要研究工作和结论如下:1、采用PFCVAD法,在衬底温度300℃、氧气压力4.0×10~(-2)Pa,不同靶负压(200V~800V)条件下制备出了ZnO薄膜,所有薄膜具有高的c轴取向性和平整的表面结构,随着靶负压的增加,粗糙度略有上升,c轴方向张应力减小。发现靶负压在400V