PFCVAD法制备ZnO薄膜结构及应变的研究

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【摘要】

：

本文采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积法(PFCVAD)制备出了具有c轴择优取向、高平整度的ZnO薄膜,研究了PFCVAD的工艺参数靶负压、衬底温度、氧气压力、退火温度对ZnO薄膜的结构、表面形貌和c轴方向应变的影响。主要研究工作和结论如下:1、采用PFCVAD法,在衬底温度300℃、氧气压力4.0×10~(-2)Pa,不同靶负压(200V～800V)条件下制备出了ZnO薄膜,所有薄膜具有高的c轴取向性

【作者】

：

于鹏

【机构】

：

南昌大学

【发表日期】

：

2008年06期

【关键词】

：

磁过滤阴极脉冲真空弧沉积法靶负压 ZnO 氧气压力

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