本文采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积法(PFCVAD)制备出了具有c轴择优取向、高平整度的ZnO薄膜,研究了PFCVAD的工艺参数靶负压、衬底......

采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积(pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,PFCVAD)系统,以Si(100)单晶片为衬底,在衬底温度......

采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积（pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,PFCVAD）系统,以Si（100）单晶片为衬底,在衬底温度300......