基于CMOS工艺RF-DC转换器设计

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RF-DC转换器作为RFID(Radio Frequency Identification)中一个重要的电路模块被用于多种无源标签式传感器电路结构中。由于射频识别技术以非接触式,存储容量大,识别速度快等优点备受关注,具有很好的市场和研究价值。对于一个射频电源电路来说,电路的稳定性、转换效率、电压增益,天线的输入阻抗匹配都是非常重要的参数指标。本课题利用Cadence EDA工具,采用UMC 0.18μm标准CMOS工艺,设计了一种高整流效率的RF-DC转换器电路结构。电路采用了低阈值NMOS管结构。RF-DC转换器电路使用Cadence软件进行仿真。仿真结果表明RF输入信号电压幅值200mV,频率433MHz,输入电流526μA,输出电压最大值2.5V。而输出电流为15.6μA。此时,RF-DC转换器的转换效率为52.4%,实现良好整流转换效果。整体电路版图面积约为0.200439mm2,达到了设计要求。
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