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本工作采用真空热蒸发技术,在石英和FTO玻璃表面沉积了Sb_2Se_3薄膜。利用X射线衍射(XRD)仪、高分辨率拉曼光谱仪、扫描电子显微镜(SEM)、半导体参数测试仪和紫外-近红外光谱仪等多种技术手段,对不同沉积温度和不同薄膜厚度的Sb_2Se_3薄膜进行了结构、形貌、组分和光电特性的表征和分析。实验结果表明,沉积温度为300℃、厚度为700 nm的Sb_2Se_3薄膜具有最优的结晶取向和较好的结晶度,且薄膜的光学带隙较小、对可见光的透过率极低、导电性较好。利用所沉积的Sb_2Se_3薄膜为吸收层,