随着信息化、自动化技术的普及和5G时代的来临,电子器件的发展方向趋于轻量化、集成化和多功能化,这对于封装领域中的热管理技术提出了巨大的挑战。高密度封装技术及集成电路的进一步发展对封装材料提出了更高的、传统封装材料无法满足的要求,因此开发有效的热管理材料已成为目前电子封装领域的迫切需求之一。具有高导热,高热稳定性并且绝缘的六方氮化硼（h-BN）是一种在电子封装领域具有广阔的应用前景的理想的热管理材料。此外具有被动热管理、适用于间歇性或瞬态散热的相变材料（PCM）也因为可以给电子设备的热管理提供了更多的可行性而备受关注。然而,目前常见的BN合成方法往往具有反应条件苛刻、原料毒性大、高成本等缺陷。相变材料也具有低热导率,热稳定性差,高易燃性,过冷等问题,限制了其实际生产生活中的应用。本文的主要工作就是对具有操作简单、绿色合成和产物高结晶度等优点的卤化物辅助低温水热法（HAHTA）合成低维氮化硼纳米材料进行探究,并制备了六方氮化硼纳米片（hBNNS）增强的相变复合材料,对其性能进行了表征。结果表明,通过卤化物辅助低温水热法可以成功制备低维BN纳米材料,通过调整反应温度以及卤化物的种类,可有效对所得氮化硼的物相及形貌进行调控,当卤化物从NaF变为NH4F,产物将会从oBN纳米棒变为cBN纳米花。特别地,相比于单纯的水热合成氮化硼,加入卤化物可有效地增加hBNNS的横向尺寸。当在200℃下,选用硼酸和氨水作为原料,使用Na F辅助生长所得到的结晶良好的hBNNS可以达到1μm以上的横向尺寸和5.1 nm的平均厚度,并可实现原位功能化,利于进一步的复合应用。总的来说,HAHTA法作为一种简便且经济高效的方法为可控合成低维BN纳米材料开辟了一条前景广阔的新途径。对所制备的hBNNS相变复合材料进行表征,结果表明,VO2@h BN复合材料相比于纯的VO2具有更好的抗氧化性能;相比于纯石蜡,石蜡@h BN相变复合材料具有高潜热（189.0 J/g）,更高的热导率（1.198 W/m K）和更好的形状稳定性,这使得它们可在电子热管理领域具备更强的适用性和更广阔的应用前景。