二维硅基光子晶体波导器件设计与制备技术研究

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光子晶体是由不同介电常数的物质在空间周期性排列而形成的人工微结构。基于光子晶体的光子禁带及光子局域特性制作的光子晶体器件具有体积小、集成度高、性能优异的特点,在未来大规模集成光路以及全光网络中将有重要的应用。本文对二维光子晶体波导器件进行了研究,得到如下新的成果。1.设计并制作了轴向填充率渐变型二维光子晶体。在归一化波长1.43-2.71,3.41-4.00波段,侧面入射的光被向下偏折。采用电化学腐蚀与MEMS工艺相结合的方式,在p型(100)硅基底上制作了轴向填充率渐变型二维三角晶格方孔光子晶体。2.设计了苯乙炔类液晶调制光子晶体微腔光衰减器。在1.55m通信波段下,可以通过调节电场来实现对光传播强度的调制。衰减器可以实现3.4%-99.1%的连续可调谐光输出。3.设计了光控苯乙炔类液晶(掺有少量偶氮聚合物)光子晶体微腔全光开关:在1.55m通信波段下,利用控制光调节信号光的导通与截止。此开关阈值低,消光比较大,体积小。4.将电化学腐蚀法、金属催化化学腐蚀法等无序的纳米结构制备方法与MEMS工艺相结合,制备二维光子晶体。5.在单晶硅表面制备了大规模的纳米线阵列。对不同腐蚀时间的样品测量了反射谱,证实了硅纳米线阵列优异的光学减反射性能,在300nm-1000nm波段,反射率低至2.4%。分析了纳米线阵列的减反射机制和不同腐蚀时间样品反射率的差异。
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