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为探索高介电常数电介质陶瓷新材料，本论文系统地研究了（1-X）(Ca0.61Nd0.26)TiO3／x(Li1／2Nd1／2)TiO3微波介质陶瓷与充满型钨青铜电介质陶瓷BapLn6-pTi8-pM2+pO30（Ln=La，Nd，Sm；M=Ta，Nb）的结构与性能，并分析了后者的介电弛豫的起源以及微波应用的可能性。 本研究将温度系数相反的高介电常数微波介质陶瓷(Ca1-yNd2y／3)TiO3和(Li1／2Nd1／2)TiO3进行复合，在较低烧结温度下（1200—1250℃）获得了正交结构的CaTiO3基固溶体陶瓷（1-x）(Ca0.61Nd0.26)TiO3／x(Li1／2Nd1／2)TiO3 （x=0.0—0.6）。（1-x）(Ca0.61Nd0.26)TiO3／x(Li1／2Nd1／2)TiO3陶瓷的介电常数随x增加先增加后减小，在x=0.5处达到极值。Qf值和谐振频率温度系数随(Li1／2Nd1／2)TiO3含量增加而线性下降。（1-x）(Ca0.61Nd0.26)TiO3／x(Li1／2Nd1／2)TiO3陶瓷的微波介电性能与A位离子的平均键价密切相关，即A位离子的平均键价下降导致Qf值下降与谐振频率温度系数减小。在较低烧结温度下制备出了一些性能良好的微波介质陶瓷（1-x）(Ca0.61Nd0.26)TiO3／x(Li1／2Nd1／2)TiO3：1)ε=107.7、Qf=11,455GHz、τf=236.7ppm／℃（x=0）；2)ε=122.5、Qf=1,652GHz、τf=5.2ppm／℃（x=0.6）。 对高介电常数、低损耗的充满型钨青铜陶瓷BapNd6-pTi8-pTa2+pO30（p=4，5）进行A位、B位与A／B位置换以及两相复合等方法的改性研究，获得了一些适合于温度补偿型电容器的陶瓷。Ti不等价置换Ta的BapNd6-pTi8-pTa2+pO30（p=4）陶瓷，温度系数显著地得到改善（τε从-1850ppm／℃改善到-664ppm／℃）。其中x=1.2的Ba4Nd2Ti4+xTa6-xO30-x／2陶瓷介电性能如下：ε=114，tanδ=0.0005，τε=-664ppm／℃。而(Ba4-xLax)Nd2Ti4(Za6-xSnx)O30陶瓷的温度系数显著改善到近零（-30ppm／℃）。在BapNd6-pTi8-pTa2+pO30（p=5）陶瓷的改性研究中，（1-x）Ba5NdTi3Ta7O30／xBi4Ti3O12陶瓷的温度系数τε随Bi4Ti3O12增加从负值逐步变为正值。其中0.4 Ba5NdTi3Ta7O30／0.6Bi4Ti3O12陶瓷的综合介电性能如下：ε=178，tanδ=0.007和τε=49ppm／℃。A／B位La／Sn协同置换Ba／Ta的(Ba5-xLax)NdTi3(Za7xSnx)O30陶瓷，温度系数从τε=-1560ppm／℃显著改善到τε=-286ppm／℃。其中x=0.5、2.5陶瓷的介电性能分别为：ε=118、tanδ=0.00045、τε=-1079ppm／℃；ε=95、tanδ=0.0045、τε=-286ppm／℃。 在BaO-Ln2O3-TiO2-M2O-5（Ln=La，Nd，Sm；M=Ta，Nb）四元体系中发现了一系列充满型钨青铜固溶体陶瓷BapLn6-pTi8-pM2+pO30。其中p=3的BapLn6pTi8-pM2+pO30（Ln=Nd，Sm；M=Ta，Nb）陶瓷均出现了第二相，其他的陶瓷均为单一的四方钨青铜相。首次利用结构许容因子以及平均电负性差分析摘要了BaPLn6一pTis一pMZ+po3。（Ln=La，Nd，Sm;M=Ta，Nb）陶瓷中钨青铜相的稳定性。当结构许容因子和平均电负性差小到一定程度时，钨青铜相将不再稳定，从而出现第二相。 在Bao.LnZO3一TIOZ创[b 205（Ln二Nd，Sm）四元体系中发现6种充满型钨青铜结构的非铅弛豫铁电体B娜Ln6一pTis浏场+P 03。（p二3，4，5）。其中p=4的B娜城一nTis-pNbZ+P伪。陶瓷十分接近正常铁电体。B补Sm6-PTis-PNbZ+P 03。（p=3）的陶瓷观察到铁电一铁电相变和铁电一顺电相变两个介电峰。而其它五种陶瓷均只观察到铁电一顺电相变介电峰。这些陶瓷的铁电性能为:Pr一1四/c扩，氏10一ZoKV/cm（B娜Sm6，Tis.浏b2，03。，p=5）;p=4和5的B娜Nd6一pTis.PNbZ，03。陶瓷剩余极化Pr分别为一1.2、0.5林c/c扩，矫顽场Ec则分别为一20、7Kv儿m。p二4和5的Ba浏d6-P皿s必几2切伪。陶瓷以及B娜Sm6一Tis巾NbZ十pq。（p二5）陶瓷有望应用于铁电随机存储器（FRAM）。 氧气氛下退火处理对BaPNd6-nTis.PNbZ+P仇。陶瓷的结构和介电性能具有明显的效果。退火处理后，BaPN山一pTis.声rb2+P 03。陶瓷晶胞收缩，居里温度降低，同时低温处的介电弛豫现象消失。但是退火处理对B、Sm师Tis甲NbZ+P 03。陶瓷的结构和介电性能影响并不明显。 充满型钨青铜陶瓷存在三种典型介电弛豫现象:空间电荷弛豫;1护Hz频率下的介电弛豫;铁电相变处的介电弛豫。这些介电弛豫的起源如下所述:空间电荷弛豫是由氧空位所引起的;1071七左右频率的介电弛豫，为氧八面体绕A位阳离子的转动模;铁电相变处的介电弛豫起源于A位离子的分布情况。 本研究考虑到A位离子以及A位间隙位置的差异，分析了充满型钨青铜陶瓷B饰Ln6，Tis，MZ十p03。中A位离子的组态情况。结合充满型钨青铜陶瓷的铁电相变的弛豫程度，确定了充满型钨青铜陶瓷弛豫铁电相变的介电弛豫机制，即A位离子稳定组态数Ns决定铁电相变介电弛豫的强弱。Ns越大弛豫性越强，越呈现明显的弛豫铁电体行为;反之则越接近于正常铁电体。 本文还分析了稀土元素以及了习Nb对充满型钨青铜B饰城一pTis-PMZ+P伪。陶瓷的晶体结?