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氧化锌(Zinc Oxide, ZnO)室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能约为60meV,是一种直接带隙宽禁带半导体材料。ZnO薄膜因具有性能稳定,生长温度低,并且对掺杂、温度、压力、表面形体结构、载流子浓度等因素非常敏感等优点,表现出优良的透明导电性、光电性、压电性等性质,是制造高效紫外/蓝色发光二极管、传感器、光电检测器和激光器件等方面的理想材料,因而成为半导体材料领域的一个研究热点之一。本论文采用金属有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposi