IGBT作为能源转换的核心,具有广阔的应用领域和市场。高体积分数SiC_p/Al复合材料具有密度低,热导率高,热膨胀系数低,机械强度高,原材料廉价的优点,是作为高功率IGBT散热基板的完美选择。直热法粉末触变成型工艺作为制备高体积分数SiC_p/Al复合材料的新工艺,烧结温度低、速度快,生产周期短,可制备高密度、大尺寸的高体积分数SiC_p/Al复合材料。用直热法粉末触变成型工艺制备60%volSiC_p/2024Al复合材料的热导率可达190.98 W·m-1·K-1,适合作为高功率IGBT的散热基板材料。目前,直热法粉末触变成型工艺参数的研究不够充分。本实验采用直热法粉末触变成型工艺制备60%volSiC_p/2024Al复合材料,并研究工艺参数对SiC_p/2024Al复合材料性能的影响。实验分别研究了成型压力、半固态保温温度对SiC_p/2024Al复合材料的密度、抗折强度、热膨胀系数的影响。并通过数据统计研究了影响SiC_p/2024Al复合材料在620℃时性能不稳定的因素。通过分析直热法粉末触变成型工艺的烧结机理,设计了二次烧结工艺,使SiC_p/2024Al复合材料在低的烧结温度下获得高的密度与抗折强度。研究结果表明,单次烧结的半固态保温温度为600℃,成型压力为55MPa时,60%volSiC_p/2024Al复合料的性能最佳,密度为2.96 g/cm~3,抗折强度为274MPa,热膨胀系数为8.084×10-6·K-1。通过二次烧结,在半固态保温温度为560℃,成型压力为45MPa时,60%volSiC_p/2024Al复合材料的密度为2.98 g/cm~3,抗折强度为346MPa,其性能高于单次烧结制备60%volSiC_p/2024Al复合材料的最优性能。