ZnO是第三代半导体的代表之一,可作为紫外光致发光与多共振模式激光的载体,尤其以光学气化过饱和析出法（Optical Vapor Supersaturated Precipitation,OVSP）制备的ZnO微米晶近年来在光催化、高效多彩光源、高效电致发光等方面显示出重要优势,但其制备成本较高、生产效率低下、原位掺杂困难,阻碍了其大规模器件化的发展。针对上述问题,本论文设计并研制用于ZnO微米晶及新材料的高能量密度加热、熔区精准可控的生长装置,同时解决了OVSP方法难以进行微米晶原位掺杂的技术难题,提供了一种OVSP原位生长In掺杂ZnO（IZO）的方法,并研究了所制备IZO的结构与光电特性。首先,本文在光学浮区炉的基础上进行革新,分析激光诱导微米晶气相生长装置所需功能,包括精确可控的激光输出、可调的气氛环境、实时的实验观察等。通过实验研究了主要技术指标,实现激光器的总输出功率为2500 W,单个激光器光斑面积从0.78 cm~2至3.14 cm~2范围内可调,料棒可水平旋转以及上下垂直运动。在此基础上,研制了一套高功率激光加热、生长区温度精确可控、生长气氛可调的激光诱导微米晶气相生长装置。该装置利用激光加热料棒,使料棒受热蒸发或分解,在密封腔体内达到蒸气压的过饱和,随后析出结晶得到微米晶。其次,提出了激光气化过饱和析出法（Laser Vapor Supersaturation Precipitation,LVSP）,利用所研制的激光诱导微米晶气相生长装置,成功制备了ZnO单晶微米棒。通过调整生长参数,采用18%的功率（即18%@2500 W）,在石英反应腔中反应30 mins,制备出直径3.8μm、具有完整六棱柱形貌的ZnO单晶微米棒。研究发现,ZnO微米棒的荧光光谱中存在与锌空位(VZn)受主相关的施主-受主对复合发光（DAP）。最后,利用OVSP法原位生长了In掺杂的ZnO微米盘（IZO）。研究了OVSP法生长IZO微米盘的生长规律,发现其遵循ZnO和In2O3分解重组、反应结晶生成堆叠状结构的生长规律。研究结果表明:IZO微米盘具有独特的超晶格结构和zig-zag调制结构,此样品属于同族化合物In2O3（ZnO）m（m=23）;IZO微米盘禁带宽度为2.75 e V,存在与m数正相关的现象;样品在613 cm-1处存在与超晶格结构相关的拉曼峰;变温光致发光谱发现IZO微米盘仅有一个紫外发光峰。此外,提出了两种实验表征策略,发现IZO微米盘具有电学的各向异性,其水平方向的电阻率比垂直方向的电阻率小了两个数量级。本文工作为高效、低成本的ZnO微米晶以及潜在新材料大批量制备提供了装备与技术基础,同时也为大尺寸超晶格结构合成与半导体器件调控提供了新的方法。