随着制造加工技术的进步，微电子工艺不断向前发展。刻蚀工艺不仅作为微电子工艺中的关键技术一直受到人们的关注，而且在新兴的微机电系统，光电集成系统等微细加工中也将得到重要应用。等离子体干法刻蚀在硅器件的微细加工中已经得到广泛应用，目前研究的焦点集中在化合物半导体。为获得化合物半导体InSb-In薄膜的干法刻蚀，本文研究了感应耦合等离子体（ICP）技术，制作一套ICP干法刻蚀装置，测量各种工艺条件下的等离子体参数，利用CHClF₂等离子体刻蚀InSb-In薄膜，获得了较好的实验结果。 利用单探针和双探针诊断30mm高反应室和50mm高反应室在各种工艺条件下的离子密度和电子温度，得到这两个参数在反应室轴向位置的空间分布、随功率和气压的变化曲线、顶盖接地和反应室体积对它们的影响，结果表明离子密度为10⁸～10¹⁰cm^-3，电子温度在4～10eV之间；当顶盖接地时，该处的等离子体密度明显大于不接地；在同样条件下，50mm高反应室内的离子密度明显大于30mm高反应室。这些结论为设计ICP刻蚀系统的反应室、选择合适的刻蚀工艺提供了科学的根据。 通过对探针诊断结果的分析，设计并制作一套ICP刻蚀系统，重点研究ICP耦合天线通过射频匹配器与射频功率源的匹配问题，得到很好的匹配效果，在射频输出功率为500W以内时，反射功率小于10W。 在自制的ICP干法刻蚀系统中用CHClF₂等离子体对InSb-In材料实现了干法刻蚀，通过对刻蚀样品的SEM分析，观察到刻蚀后的侧壁光滑平整，有良好的各向异性。通过实验确定该条件下CHClF₂等离子体刻蚀InSb-In的最佳工艺，并分析探讨CHClF₂等离子体刻蚀InSb-In薄膜的机理。 本文工作为半导体材料的干法刻蚀和ICP刻蚀系统的开发应用奠定了基础。