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ZnO是一种宽禁带半导体材料，具有优异的光电学性能，在紫外探测器、透明导电极、太阳能电池、液晶显示器等领域有广泛的应用前景。但纯的ZnO薄膜几乎不导电，通常通过掺杂提高ZnO薄膜的性能，以满足制备不同器件的要求。本文采用Al、Zn双靶反应磁控共溅射法在玻璃及单晶硅(100)衬底上制备了ZAO薄膜，利用XRD、XPS、AFM、SEM、PL谱、UV-VIS、四探针测试仪及划痕仪等对薄膜的结构和性能进行了表征，详细分析了工作气压、退火温度、氧氩比及溅射功率对ZAO薄膜结构和光电学性能的影响。此外，为了解决ZAO薄膜与单晶硅(100)衬底间晶格失配大，薄膜质量差的问题，我们在ZAO薄膜与单晶硅(100)衬底间引入了SiC缓冲层。研究了SiC缓冲层薄膜的制备及其对单晶硅(100)基ZAO薄膜结构和性能的影响。文章的主要内容如下：第一章主要介绍了ZnO薄膜的晶体结构、特性、应用、制备方法及本文研究的目的和内容。第二章主要介绍了薄膜的生长过程、磁控溅射的原理、实验所用的仪器及材料、薄膜的制备过程及表征方法。第三章研究了工作气压、氧氩比、退火温度等溅射工艺参数对玻璃基ZAO薄膜结构和性能的影响。采用XRD、AFM、SEM、UV-VIS、PL和四探针测试仪对薄膜的结构、成分、表面形貌、光学和电学性能进行了表征，获得了制备薄膜的最佳工艺参数。第四章主要研究了Al靶溅射功率对单晶硅(100)基ZAO薄膜结构和性能的影响，通过XPS分析计算得到当Al掺杂量为1.17%时，薄膜的光电性能最佳。第五章主要研究了不同工艺参数下SiC薄膜的沉积速率及退火温度对SiC缓冲层结构和表面形貌的影响。第六章主要研究了SiC缓冲层对单晶硅(100)基ZAO薄膜结构和性能的影响。采用XRD、SEM、PL、四探针测试仪和划痕仪对薄膜的结构、成分、表面形貌、光致发光、电阻率和膜基结合力进行了表征。第七章对全文进行总结并对以后的研究方向进行了展望。