以一维纳米线和二维纳米片为代表的微纳半导体材料以其独特的光电特性成为光电子材料研究的重要方向。其中基于单根纳米线和单个纳米片的原型电子器件制作及其光电响应特性研究成为研究的热点。在器件制作方面,电子束曝光因其较高的线宽精度,被广泛应用于微器件的加工,相对于电子束直写技术,激光直写具有低成本、环境要求低等优势;在器件光响应特性方面,位置相关的光电流成像技术为研究分析微纳光电子器件中的光生载流子传输、分离与复合过程、从而为进一步优化器件结构,提高器件光电转换效率提供了一种性能测试方法。上述两种方面均可通过光束移动或位移台移动实现,本论文主要以面向实验室微纳器件制备与光电流位置成像测试需要,设计并搭建了一套基于二维振镜的微区激光直写与光电流扫描成像系统。该系统相对与传统位移台方式的光电流扫描成像系统有更快的扫描速度。我们首先利用Myrio-1900设备的可编程重配I/O功能进行LabVIEW编程完成对手柄控制,并实现自动化移动观察待测样品。接着,通过LabVIEW程序控制二维振镜进行激光偏转,使光束在光刻胶表面的扫描,在优化曝光参数的基础上,在NA值为0.5的50倍物镜以及样品台保持静止下,实现刻写范围±30μm的激光直写,刻写一个50μm×50μm的方形耗时约为10 s。接着,我们利用标准硅光探测器对系统的光电流扫描成像进行验证。通过光束在标准光电探测器光敏区域的扫描,再使用数字源表测量电流数据,同步实时记录光电流,实现了逐点显示出扫描光电流成像功能。针对实验室制备的石墨烯/二硫化钨/硅（Gr/WS₂/Si）异质结光电器件进行测试,在器件响应时间ms下,实现在240 s内一帧具有10000个光电流数据的快速成像。为进一步优化系统,使光电流成像图像和待测器件形貌图匹配度更高,我们在系统中添加待测样品的反射光收集模块。同时为减小噪音对成像的影响,我们将电流放大器和锁相放大器联用,获得了微弱光电流的高性噪比成像。