真空阴极弧制备纳米复合Ti-Si-N薄膜的研究

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在本文中,我们利用真空阴极弧沉积技术在硅烷、氮气和氩气的混合气氛下成功制备了纳米复合Ti—Si—N薄膜。重点探讨了硅烷流量对薄膜性质的影响。研究结果表明,Ti—Si—N复合薄膜主要由TiN晶相和SiN_x非晶相组成。随着硅烷流量的增加,薄膜中的硅含量从2.0at.%逐渐增加到12.2at.%。随着硅含量的增加,薄膜的(111)择优取向逐渐减弱,薄膜的衍射峰变为由(111)和(200)组成。而且随着Si含量的增加,衍射峰的半高宽逐渐增加。通过观察薄膜的断面形貌发现,随着Si的掺入,薄膜中的柱状晶逐步得到细化、致密度提高。薄膜的硬度随着Si含量的增加先逐渐增加,然后降低,其最大值达到35Gpa左右。相比于TiN薄膜,Ti—Si—N薄膜具有更优良的耐磨性能,摩擦系数比TiN薄膜降低50%左右。薄膜的耐腐蚀性能也得到了显著提高。当硅烷的流量为14sccm时,薄膜中Si含量达到8.3at.%左右,薄膜的性质达到最佳值,硬度达到35GPa,与TiN薄膜相比,摩擦系数降低50%,腐蚀电流降低2~3个数量级。
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