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随着人们对巨磁阻效应和隧道磁阻效应应用的深入研究,以纳米磁性材料为中心的自旋电子学器件在信息存储中占有着越来越重要的地位,已经广泛应用于纳米磁传感器、磁存储器,自旋转移力矩的RF振荡器等。利用微磁学仿真计算手段,研究了单根的扁平磁纳米线的磁环翻转特性,并提出了添加软磁和斜切面两种加快纳米线磁化翻转的方法,使得扁平纳米线在600KA/m磁场强度下的翻转时间从1.5ns降低到0.3ns以内;针对基于磁性隧道结的赝自旋阀磁随机存储器,使用带斜面切口环形结构作为自由层,抛弃采用厚度改变矫顽力的方式