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CdZnTe核辐射探测器可在室温下工作且具有很高的探测效率，并对X、γ射线有较高的探测效率和较好的能量分辨率，广泛用于安检、工业探伤、医学诊断、天体X射线望远镜等方面。而高电阻率(≥109Ω·cm)，完整性好的CdZnTe晶体是研制高性能的CdZnTeX-、γ-射线探测器的关键。掺In的CdZnTe晶体不仅可进一步提高电阻率，而且对γ射线有较高的灵敏度。为获得高性能晶体材料，除了进一步完善晶体生长工艺外，对In掺杂CdZnTe晶体的热处理具有重要的意义。本文的主要研究内容与结果如下：1、建立了CdTe高温点缺陷平衡模型，首次采用类化学反应平衡理论研究了掺InCdTe晶体中各类点缺陷浓度在不同的温度和不同In掺杂量下随Cd分压而变化的关系，并导出了CdTe晶体导电类型的转变临界条件。此模型也可应用至Cd0.9Zn0.1Te体系。
2、首次尝试对非掺杂Cd0.9Zn0.1Te进行In扩散研究，重点研究了扩散工艺中的关键参数，包括扩散温度、Cd分压及In压对Cd0.9Zn0.1Te晶体电学性能和各类结构性缺陷的影响。研究结果表明，在Cd/Zn平衡分压控制下进行汽相掺In热处理时，典型样片的电阻率达到1.6×1010Ω·cm，红外透过率达到63.4％，接近文献报道的掺InCdZnTe晶体的水平。并建立了In扩散Cd0.9Zn0.1Te晶体电阻率变化的物理模型。利用实验数据，经推算首次获得了平衡Cd压下In原子在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的有效扩散系数：1.35exp(-1.85eV/kT)(873K～1073K)，此结果与国外报道的In原子在CdTe晶体中的扩散系数较为接近。
3、系统地研究了掺InCd0.9Zn0.1Te晶体热处理工艺。实验表明，对于p型In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片，宜采用在Cd/Zn平衡分压控制下进行热处理，晶片的电阻率可达到3.19×109Ω·cm，而对于n型In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片，则适合单独在Te分压控制下热处理，晶片电阻率可达到5.7×108Ω·cm。