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自氧化物Thin Film Transistor(TFT)问世以来,相比于其他材料,凭借其较高的迁移率,在驱动电路中能提供更高的驱动电流和极快的像素转换,完全满足超高清、大屏幕等未来显示的新潮流,并且具有低温下制备、对可见光透明的特点,所以越来越受到人们的青睐。目前的氧化物半导体材料有Zinc Oxide(Zn O)、Indium Zinc Oxide(IZO)、Indium Gallium Zinc Oxide(IGZO)等,氧化物半导体能带结构中,价带由氧离子的2p轨道形成,ZnO的禁带宽度约为3.2eV,高于价带顶的带隙中存在着氧空位缺陷,氧空位会导致电流的缓慢衰减,造成系统的不稳定性。因此对在氧化物中掺入比氧离子p轨道能量高的阴离子(N3-,S2-等)进行研究是必要的。本文中,采用射频磁控溅射制备了有源层Zinc Oxide Nitride(ZnON)薄膜并研究了其性能,制备了ZnON作为有源层的底栅顶接触型TFT,并研究了其电学性能,主体内容分为以下三个部分:1:ZnON薄膜的制备及性能研究。采用射频磁控溅射制备了ZnON薄膜。对在不同氮氧比和不同溅射功率下制备的ZnON薄膜进行了透过率分析,对不同氮氧比下制备的薄膜进行了SEM和EDS表征。我们发现所制备的样品皆为直接带隙半导体,透过率总体呈下降趋势,随着氮含量的增加,薄膜的形貌得到一定的改善。EDS证明了Zn、O、N三种元素的存在。2:ZnON薄膜晶体管的理论设计和工艺探索。实验中采用底栅顶接触型结构,ZnON作为有源层,金属Mo作为源漏级,重掺杂Si作为衬底及栅极,SiO2为栅极绝缘层,然后探索得到了制备薄膜晶体管过程中的具体参数,射频磁控溅射:基于第二章中制备ZnON的性能分析,我们选择N2流量为50sccm,溅射功率300W。光刻:衬底清洗,涂胶(前转800rps/min,后转2800rps/min),前烘(100℃,5min),曝光(30s),显影(1.5%的NaON溶液,10s),后烘(100℃,20min)。刻蚀:5%的H2O2溶液,加NaON至PH值为8。3:ZnON薄膜晶体管的电学性能测试。测试了不同氮氧流量比和不同溅射功率下制备的ZnON-TFT的电学性能,发现薄膜晶体管的性能整体都是先变好后变坏,最后测试了正偏压下薄膜晶体管的稳定性,发现阈值电压偏移量随施加栅偏压时间的增加而逐渐增大,近乎指数关系。