硅通孔相关论文
微系统技术是未来航空航天领域重点研究方向,硅通孔(Through Silicon Via, TSV)技术是其关键技术之一。目前,普遍采用单因素研究TSV多......
全球网络流量急速增长,数据传输所需带宽和能源消耗也随之快速增加,传统电子信息互联架构已无法满足日益增长的带宽和节约能耗的需求......
为了降低三维集成微系统热应力,本文设计了一种基于锡铅银合金作为TSV的填充金属、 LTCC为基底的TSV芯片结构.基于此结构设计了4种......
系统级封装(Si P)及微系统技术能够在有限空间内实现更高密度、更多功能集成,是满足宇航、武器装备等高端领域电子器件小型化、高性能......
基于硅通孔(TSV)技术,提出了应用于三维集成电路的三维螺旋电感.在实际应用中,TSV电感存在电场、温度场和力场之间的相互耦合,最终......
电感是集成电路当中应用最为广泛的无源器件之一,硅通孔(Through-Silicon Via,TSV)技术作为三维集成电路(Three-Dimensional Interagt......
在基于硅通孔(TSV)三维高密度集成技术中,晶圆减薄是关键工艺技术之一,减薄过程中面临更多未知的界面和表面问题,如表面微裂纹、界面......
随着半导体技术的不断扩展,互连延迟和功耗等限制了工艺尺寸的进一步缩放。为了打破这些瓶颈,业界和研究机构正在探索三维集成,例......
采用有限元模拟法研究三维集成电路集成中硅通孔结构在热循环载荷条件下的失效行为,对硅通孔结构的应力应变进行分析。结果表明,硅通......
随着集成电路信号频率的不断增高,金属铜电阻率急剧增加,传统的硅通孔出现严重的电传输问题,此时单纯改变硅通孔的结构,例如使用同......
随着微电子行业的快速发展,电子产品不断地向着小型化、高集成度、多功能、低成本的方向迈进。传统的方式是通过减小器件的特征尺......
本文采用硅基MEMS工艺,设计并研制了基于硅通孔的IPD螺旋电感、MIM电容、薄膜电阻,设计和测试结果吻合程度较高,其中电感感值、电......
三维集成电路作为“超摩尔”技术领域战略研究课题之一,在近10至20年内的发展极为迅速。硅通孔作为影响三维集成电路性能的关键技......
针对MEMS系统中硅通孔(TSV)的热可靠性,利用快速热处理技术(RTP)进行了温度影响的实验分析.通过有限元分析(FEA)方法得到不同温度......
近年来,以硅通孔(TSV,Through-Sil icon-Via)为核心的先进封装技术是三维集成领域的发展趋势和研发热点.与之相关制造技术也得到了......
硅基集成电感是射频集成电路的重要元件之一,本文提出了一种基于硅通孔技术的新型螺线管式差分电感.文章首先介绍了该差分电感的结......
三维电路(3D IC)在垂直方向上进行多个晶片的堆叠,使得芯片的集成度大大提高而成为一种极具发展前景的新型芯片。三维电路的关键技......
随着半导体工艺特征尺寸进入纳米量级,进一步减小晶体管沟道长度越发困难。为了继续提升集成电路性能,半导体产业界一方面通过鳍式......
为了改善T/R组件中2.5 D转接板的高频特性,本文提出一种工艺简单、结构新颖的混合介质层类同轴硅通孔(through silicon via,TSV)结......
传统功率电子封装主要以钎料连接和引线键合等二维平面封装技术为主,无法满足第三代半导体器件在高频、高压、高温下的可靠应用需......
随着电子产品需求的不断提升,半导体封装技术的发展已经从2D结构发展到2.5D乃至3D结构,这对包括高密度集成和异质结构封装在内的系......
受中美国际关系的影响,一段时间内,集成电路工艺制程可能难以突破;同时,先进半导体工艺将带来高昂的集成电路开发成本,已经不适应......
本文提出了一种新型的基于硅通孔(TSV)转接板的片上集成电感,可以通过减少基板损耗实现高品质因素.该新型螺旋电感直接集成在硅基......
随着集成电路向低功耗、小体积、高集成度方向发展,二维平面集成逐渐面临挑战。硅通孔(Through Silicon Via,TSV)能够实现芯片上下......
研究依托硅通孔实现信息处理微系统的技术。概述了传统信息处理系统小型化集成实现方式及新需求下所面临的发展瓶颈,依托“拓展摩......
采用硅通孔(TSV)技术的三维堆叠封装,是一种很有前途的解决方案,可提供微处理器低延迟,高带宽的DRAM通道。然而,在3D DRAM电路中,......
硅通孔(TSV)是三维集成电路的一种主流技术.基于TSV寄生参数提取模型,对不同物理尺寸的TSV电阻-电容(RC)参数进行提取,采用Q3D仿真......
三维集成电路通过硅通孔将多个相同或不同工艺的晶片上下堆叠并进行垂直集成。该技术可显著缩小芯片的外形尺寸,提高晶体管集成密......
多核处理器的内存系统对于提高多核处理器性能与可扩展性有重要作用。随着集成电路芯片规模的增长和工艺的细化,内存系统面临着诸多......
为了满足存储器单位面积存储容量不断增长的需求,基于硅通孔(Through-silicon-via,TSV)连接的三维存储器(Three-Dimensional Memorie......
硅通孔(TSV)在三维集成系统中扮演着非常重要的角色。BOSCH刻蚀技术是当前主流的硅通孔刻蚀方法,因为刻蚀和钝化交替进行,这种干法......
三维集成电路是指利用硅通孔(Through Silicon Via,TSV)作为电学连接,将多个同质、异质的芯片或电路模块在垂直方向上堆叠起来,共......
三维集成电路(3D IC,Three-dimensional Integrated Circuit)将多块芯片在垂直方向上堆叠起来,通过硅通孔(TSV,Through Silicon Vi......
基于硅通孔(Through-Silicone Via,TSV)的三维芯片技术是作为延续摩尔定律的重要技术之一。三维集成电路(Three dimensional integ......
随着超大规模集成电路技术的发展,芯片集成度和规模急剧增加。集成电路按比例缩小的发展已逼近极限,最有可能解决降低互连延迟、提......
随着半导体技术的发展,传统的平面2D互连面临越来越严峻的挑战,新型三维3D集成逐渐成为关注的热点,而硅通孔(Through-Sclicon Via,TSV)技......
随着微电子封装技术向高集成度、高性能的方向发展,三维系统级封装(Three-Dimensional System in Package,简称3D SiP)技术已被业界......
三维芯片(3D-IC)通过硅通孔(TSV)技术来实现电路的垂直互连,延续了摩尔定律,但在制造、绑定等过程中,TSV容易引入各类缺陷.添加冗......
三维(3D)集成技术由于其小型化、高密度等优点受到越来越多的关注,硅通孔(Through Silicon Via,TSV)技术具有更优越的性能,成为3D集成电......
硅通孔三维叠层芯片封装具有封装体积小,互连线短,封装密度高,寄生电容和电感低,信号延迟小,高速和高频特性高,功耗低,系统可靠性和稳定性......
基于硅通孔(TSV)的三维集成电路是未来集成电路发展的主流技术之一,能有效降低集成电路的互连延时和功耗,是国际半导体技术蓝图(ITRS)近......
雷达、电子战等射频电子装备向高集成度和大功率方向发展,有力牵引了射频微系统技术的进步,同时给冷却设计带来三大挑战:高面热流......
随着当今发展,不论是商业还是个人,对计算设备的需求都越来越高,要求具备更高的带宽,更快的速度,以及更高的异质集成度。而基于TSV(Thro......
硅辐射探测器在很多领域得到应用。随着技术的发展,对探测器的性能要求也越来越高,传统的平面结构探测器已经难以满足对性能越来越高......