绝缘体上硅(silicononinsulator，SOI)技术和硅锗(SiGe)技术都是微电子领域中的前沿技术。绝缘体上硅锗(SGOI)材料是由日趋成熟的SOI技术和蓬勃发展的SiGe技术相结合而产生的一种新型微电子材料，目前，制备SGOI材料的主要方法有：注氧隔离法、晶片键合法、智能切割法和外延生长法等。这里介绍了我们用分子束外延工艺在SOI衬底上制备SGOI材料的实验过程、测试结果及其主要结论。 　　本文研究了用固态锗及乙硅烷为源外延生长SiGe合金薄膜的生长动力学，分析了乙硅烷裂解温度对Si生长速率的影响以及SiGe合金薄膜的生长模式。通过优化生长工艺，用GSMBE设备在SOI衬底上制备出了组分和薄膜厚度在大范围变化的SGOI材料。用RHEED、DCXRD、RBS和Raman光谱等分析手段对SGOI材料样品的特性进行了表征，并研究了SGOI样品的高温退火行为。分析结果表明，采用GSMBE外延生长法可以制备出SiGe层厚度和Ge组分均可在大范围内调节的高质量SGOI材料样品。样品的高温退火处理有助于进一步提高SiGe外延膜的晶体质量，对低Ge组分的样品还有助于提高SiGe外延膜中的Ge含量，并能实现SOI表面的超薄Si层向SiGe合金层的转化，促进SiGe外延膜中的应力释放而获得全驰豫态的SGOI材料样品。