LaCoO3具有优异的化学稳定性和高温下的良导电性,特别是它低温下的磁性行为近几年来备受关注。TiO₂是一种n型半导体材料,其在光催化、光学器件制备、光电转换性能等方面应用十分广泛。本论文使用浮区法研究了LaCoO3单晶和TiO₂单晶的生长,并研究了生长晶体的特性。发现了LaCoO3单晶最佳生长条件,得到了无裂纹的黑亮的长圆柱状LaCoO3单晶体。单晶是沿[ 121]晶向生长的棱方钙钛矿晶体。单晶是高品质无晶界散射的,其电阻率小于已有的文献数据。磁性研究显示LaCoO3单晶在低温时磁性含有铁磁性成分,但其铁磁性远小于已有文献报道的各种结构形式的LaCoO3样品,实验结果证明其铁磁成分不是本征属性。强磁场中磁化率倒数曲线在12K处存在斜率变化,显示存在一结构转变。通过对生长条件的控制,得到了不同颜色（不同氧缺位含量）的沿[110]晶向生长的金红石TiO₂单晶。氧缺位对择优取向生长无影响,但可能会造成一定的晶格畸变,对拉曼各向异性产生影响。氧缺位对禁带宽度无影响,但对其跃迁几率有影响;氧缺位会在禁带内引入一新的杂质带。氧缺位含量高的TiO₂单晶在温度区间5-300 K都是抗磁性的,表明氧缺位并没有产生铁磁性。