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氢氧化铝广泛应用于阻燃剂、电解铝、建材、医药等领域。界面荷电性质对其吸附、分散等性能具有重要的影响。零电荷点(PZC)是表征其荷电性质的重要参数。但文献中PZC的测定结果却差异很大,在p H=7～10的范围内。表面不同羟基的质子反应决定PZC的数值,研究者们对(001)面双配位羟基(Al2OH)的质子反应活性有很大争议。这主要是由于研究者采用的样品尺寸限制了单一晶面PZC测定方法的应用,同时在实验中忽略了氢氧化铝样品纯度及溶液中溶解的CO2对PZC的影响,降低了PZC测定的准确性。除此之外,氢氧化铝(100)面PZC测定存在空白,单配位羟基(Al OH)的质子反应的理论模型未得到试验的验证。通过制备过饱和铝酸钾溶液生长氢氧化铝晶体,系统研究了相对过饱和度、生长温度和溶液中碱浓度对晶体生长的影响,并得到晶体生长的适宜条件。当溶液中加入的碱与铝的比值一定时,碱浓度的改变会影响氢氧化铝晶体的形貌。此时相对过饱和度随温度的升高而降低,与碱浓度的变化无关。结果表明,高温和高碱浓度有利于大尺寸、棱柱状氢氧化铝晶体的生长。在氢氧化钾浓度为4 mol/L,溶液相对过饱和度为0.5,温度为90℃的条件下,实现了尺寸在100～150μm且纯度高于工业晶体的氢氧化铝晶体的生长。通过AFM胶体探针技术测定除气处理前后氢氧化铝(001)面的PZC,系统研究了溶液中CO2对PZC的影响,并与文献中的实验结果对比。研究表明,除气处理可以减少CO2的溶解,且处理后(001)面的PZC较除气前降低。本研究测定结果与文献中采用同一样品且未除气处理的结果相比,符合CO2对PZC的影响规律。通过测定工业晶体与制备的氢氧化铝(001)面和(100)面的PZC,研究了样品纯度对测定结果的影响。指出了文献中实验测定过程的不足并通过除气处理与提高样品纯度进行了优化,并在优化体系下测定得到氢氧化铝(001)面PZC为p H=6.1。由于数据点较少,实验得到PZC有一定不确定性,后续研究应大量增加测定数据点,得到更精确的PZC。本研究结果支持Bickmore模型,认为(001)面Al2OH羟基在酸性溶液中具有质子活性。结合本研究结果与Bickmore模型,将Al2OH羟基的质子反应常数由p Ka=5.2改进为p Ka=5.2～6.1。同时指出(100)面由于不能解理,其表面存在的污染物或附着的其他晶面影响了PZC测定的准确性。采用了AFM接触、轻敲模式探针及金刚石胶体探针对(100)面的刻划平整化处理,为后续(100)面的平整处理及PZC的测定提供了参考。