近年来,随着信息技术快速发展,智能卡已经走进人们生活的方方面面。智能卡凭借其所具有的高内存容量、高逻辑运算能力及高安全性,正在被广泛应用于电信、金融、社会保障、交通、物联网等众多领域。智能卡的发展已经成为中国集成电路产业发展的重中之重。智能卡是一种集成电路卡,其关键部件是智能卡芯片,智能卡芯片的性能直接决定着智能卡的优劣。本论文论述了国内外智能卡芯片设计的研究现状,当前特征尺寸为55nm的超深亚微米工艺正逐步成为智能卡芯片设计的主流工艺。从芯片数字后端设计角度出发,本论文着重分析了超深亚微米工艺相对于大尺寸工艺出现的一些新特性,同时阐述这些新特性对芯片数字后端设计的影响,文中针对每一项影响给出了相应的解决方案。基于超深亚微米工艺芯片数字后端设计流程,本论文整体实现了一款55nm嵌入式闪存工艺的SIM卡芯片的数字后端设计,对智能卡芯片所涉及的可靠性及安全性等问题,本文给出了数字后端设计方向的解决方法。具体实现过程引入了布局布线工具结合分布式多场景静态时序分析做ECO的方法来收敛时序,此方法有效的加速了时序收敛,缩短了设计周期。最后,本文阐述了对设计结果进行验证的项目及方法,并对设计结果进行一系列验证,验证结果全部通过。本论文结合实际芯片设计提出了超深亚微米工艺下智能卡芯片数字后端设计可行性流程,对超深亚微米工艺智能卡芯片数字后端设计具有一定的参考价值。本文提出的设计流程兼顾性能与可靠性,兼顾质量与成本,这使设计出来的芯片在市场上提高了竞争力。