本文通过对比恒流模式下,有无高锰酸钾添加剂的硅酸盐电解液中所得膜层在氧化行为,结构物相和耐蚀性能等方面存在的差异,研究了KMnO4添加剂对AA1060纯铝微弧氧化膜层生长及耐蚀性的影响;通过对比恒流模式下,基体上不同宽度的缝隙内形成膜层的结构物相及耐蚀性能的差异,研究了基体缝隙形态对AZ31镁合金微弧氧化膜层生长及耐蚀性的影响。同时,探究了电流密度和附加超声波处理对微弧氧化膜层厚度的影响。研究KMnO4添加剂对AA1060纯铝微弧氧化膜层的影响结果表明,电解液中KMnO4的添加能够使微弧氧化过程中分布在膜层内的电场强度降低;同时令膜层氧化行为发生改变,具体表现为对B型放电强度的抑制作用和对C型放电产生的促进作用,进而导致膜层表面粗糙度下降,膜层致密性提高,以及Si元素在膜层中的均匀化分布;KMnO4的添加抑制了晶相的形成,同时使膜层中非晶化程度增强;电化学测试结果表明KMnO4添加剂能够有效改善微弧氧化膜层的耐蚀性能。研究基体缝隙形态对AZ31镁合金微弧氧化膜层影响结果表明,缝隙宽度为350μm时,缝隙膜层呈现出的传统硅酸盐体系典型形貌和较大的膜层厚度,以及优异的耐蚀性能。而当缝隙宽度小于350μm,随缝隙宽度的改变,缝隙内膜层结构及耐腐蚀性能出现了明显差异。即膜层厚度普遍偏小,连续性偏低,且缺陷较多,其缺陷程度随缝隙宽度减少愈发增强。尽管其耐蚀性能在短时间腐蚀测试中优于基体,但长时间的腐蚀测试中均劣于缝隙宽度为350μm的膜层。此外,电流密度的增加与微弧氧化过程中超声波处理的引入均有利于缝隙内膜层的生长。