近年来,二维过渡金属二硫化物(TMDs)因其在电学,光学,力学等方面超凡的性能引起了材料科学家们的关注。如较大的激子结合能和超高的载流子浓度,便于其制备性能更优异的光电器件;如较大的带隙,使得电子跃迁引起了从紫外到近红外区的强光吸收,便于其在光催化等领域的应用;如其特殊的层状结构和热稳定性,使其能在更为严苛的条件下做为润滑剂使用。而二维硫化钨材料,更是TMDs家族的佼佼者,它的高开关比、可控自旋和谷极化、激子的强几何约束和可调的光致发光等特性,使其可能应用在太阳能电池、锂电池、发光二极管和光传感器的制备中。本论文主要的研究内容是硫化钨薄膜的制备以及其中红外范围内的光学特性。论文中我们使用两步法制备硫化钨薄膜,第一步用电子束蒸镀法在基底上生长一层具有理想厚度的氧化钨薄膜;第二步将制得的氧化钨薄膜与硫蒸气进行反应,控制反应温度为700°,压强为400Torr,时间为1h,最终制得硫化钨薄膜。通过XRD,RAMAN,SEM等确定了物相结构,使用红外透射光谱和椭偏光谱对薄膜光学性能进行研究,确定其在红外区透过率为40～60%,可见区最高折射率约为4.7左右。在此研究基础上,我们用同样的方法,通过改变氧化钨薄膜厚度,制备出了WS2/WO3多层薄膜结构,并结合多项表征手段分析了薄膜的生长原理,确定了其双层膜结构。这种双层薄膜具有优异的中红外光吸收性能,其光吸收率可达99%,折射率最高可达4.4。除此之外,我们介绍了分析椭圆偏振光谱时所用到的色散模型及计算方法。