单源真空共蒸发制备CuInS2光伏薄膜

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单源真空共蒸发制备CuInS2薄膜,氮气保护对薄膜进行适当的热处理。研究不同Cu、In、S元素配比和热处理条件对薄膜性能的影响。采用X射线衍射仪、原子力显微镜、场发射扫描电子显微镜、光电子能谱仪、手动轮廓仪、双光束紫外-可见分光光度计、四探针测试仪等对薄膜的晶相结构、表面形貌及粗糙度、化学成分、膜厚、光、电性能等进行测试表征。实验给出蒸发用的Cu、In、S混合粉末中S原子比X的选择极为重要(实验选0.2≤X≤2),本研究中最好的混合粉末原子配比为1∶0.1∶1.2,可制出黄铜矿结构的CuIn
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