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随着平板显示、太阳能电池的不断发展和普及,透明导电薄膜成为研究的一大热点,一般具有如下性质:（1）禁带宽度大（>3.0eV）;（2）高的可见光透射率（>80%）;（3）具有较低的电阻率（<10-3 Q·cm）。金属导电能力强,但几乎不透明,玻璃透光率较高,但通常不导电,因此选择宽禁带的半导体对其进行掺杂,是一种可行的透明导电薄膜制备方法,为了满足工业化镀膜的需要,制备各项性能稳定的溅射靶材是极其关键的。本论文实验采用粉末冶金的制备技术,通过对ZnO进行机械球磨混合,利用干压成型、常压烧结的方法制备掺杂ZnO靶材。讨论了烧结温度对TiO2掺杂ZnO靶材性能的影响;TiO2掺杂量对ZnO靶材性能的影响;球磨时间对TiO2、Al2O3混合粉末的粒径及靶材性能的影响;Al2O3掺杂量对TZO靶材性能的影响;烧结温度、保温时间对TAZO靶材性能的影响以及TAZO薄膜光电性能的表征,得出以下结论:1.对于TiO2掺杂ZnO靶材的制备,研究发现:当TiO21.0 wt%在1300℃下烧结时,靶材的各项综合性能表现优异。此时靶材致密度达99%,抗弯强度达120 MPa,显微硬度达450 MPa,电阻率低至3.76 Ωcm,满足溅射镀膜的使用要求。2.对Al2O3、TiO2共掺杂ZnO混合料的制备,研究发现:球磨时间在前24h作用非常明显,混料粒径D75从7.5μnm迅速下降到1.5μm,随着球磨时间的继续延长,球磨对粉体粒径减小的效果不太明显。但是随着球磨时间的延长,TAZO靶材的致密度出现略微上升的趋势。3.实验制备出的TAZO靶材,研究发现,A12O31.0 wt%掺杂TZO靶材在1300℃下烧结时,靶材的各项综合性能表现相对较好,此时靶材的致密度达98.5%,几乎接近其理论密度,抗弯强度达190 MPa,显微硬度达400 MPa,电阻率达28.54 Q·cm,满足溅射镀膜的要求。4.选取实验制备的TAZO靶材进行PLD镀膜,得到如下结论:薄膜中无其他第二相的出现,薄膜在（002）方向上择优取向,结晶性能较好,制备得到的薄膜方块电阻低至30Ω/□,载流子浓度为9.61x1020Cmmm-3,可见光内透过率高达90%,满足透明导电薄膜的使用要求。