硒化锌（ZnSe）是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体,禁带宽度Eg=2.7 eV,其在光电探测、光伏以及发光器件方面均具有重要的应用。此外,硅（Si）是目前的支柱材料,但是其在光电子器件方面的研究受限。因此,提高ZnSe和Si异质结的性能具有重要的研究意义。贵金属纳米金属颗粒的局域表面等离子体共振（LSPR）在很多方面引起了注意,可以很好的提高光捕获的能力,这样的特性对于提高纳米结构的光电子器件的性能非常重要,使纳米颗粒在光捕获和吸收方面拥有潜在的优势。本文通过溶液法对ZnSe纳米带进行银（Ag）纳米颗粒的修饰,利用其表面等离子体共振增加ZnSe纳米带对光的吸收,进而实现提升异质结器件的效果,使其更加适合光电器件的制备。具体成果如下：1、以Sb为掺杂源,通过热蒸发方法成功合成了p型ZnSe:Sb纳米带。获得的纳米带为单晶闪锌矿结构,形貌均匀,符合所需的要求。2、通过Lee-Meisel方法成功制备了不同大小的Ag纳米颗粒,分别为39 nm、48 nm和64nm。随着纳米颗粒尺寸的增加,峰值逐渐红移。当不同大小纳米颗粒混合后,相比单一纳米颗粒的峰值红移。3、将Ag纳米颗粒修饰到ZnSe纳米带上,可知LSPR的作用使得纳米带的吸收增强,为光电器件性能的提高打下良好的基础。4、成功制备了ZnSe和Si异质结器件,研究不同器件的光电性能。根据实验结果可知,修饰Ag纳米颗粒后,器件性能明显提高。而且,修饰39+64 nm的器件的性能最好。ZnSe和Si异质结太阳能电池的短路电流密度提高了57.6%,从没修饰Ag纳米颗粒的11.75提高到了18.52 mA/cm².另外,异质结的响应度和探测率分别从117.2 mA/cm²增加到184.8 mA/cm²,5.86×10¹¹ cmHz^1/2W^-1增加到9.20×10¹¹ cmHz^1/2W^-1。