磁性材料一直是数据存储领域中的重要载体，随着对数据存储密度和数据读取速度的要求的提高，磁纳结构中的畴壁及畴壁运动在过去的几十年中受到广泛关注。对磁纳米材料中磁畴的动力学行为的研究也成为人们科学探究的焦点。　　本论文绪论部分主要介绍了磁性材料的基本磁性特质以及其在信息存储领域中的应用发展，磁畴壁的相关知识以及畴壁运动方面已有的研究成果。　　第二章简洁地描述了本论文模拟计算中主要用到的基本模拟方法，如:自旋动力学模拟方法等。并介绍了用快速傅里叶变换计算有效场以及快速找到平衡态的有效方法。　　第三章具体比较了铁磁单层膜与铁磁/反铁磁双层膜结构中的磁畴演化行为，并详细研究了反铁磁层耦合作用下，磁畴壁厚度，等效质量以及磁畴壁移动速度等对于反铁磁层的净磁化、磁各向异性、界面耦合强度以及温度等的关系，研究了其对铁磁/反铁磁双层膜中的矫顽场、交换偏置场的影响，进而从磁畴结构的形成及其演化上揭示了铁磁/反铁磁双层膜出现交换偏置以及矫顽场增加的物理机制。　　第四章讨论了铁磁纳米条中自旋波驱动横向磁畴壁的研究工作。研究了不同频率下横向畴壁驱动情况，发现了自旋波的频率跟磁畴壁的移动方向有着直接的关系，并进一步探讨了不同外场幅值，不同耦极相互作用，以及不同外场类型（正弦波，三角波，方波）等对其磁畴壁驱动的影响。结果表明:对于自旋波驱动横向磁畴壁运动，存在临界频率使磁畴壁移动方向发生改变。