多协议网络分析仪设计技术研究

来源 :浙江大学 | 被引量 : 1次 | 上传用户:and113
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
复杂网络应用场景中一般使用多种网络协议构成的混合型异构网络,对于这种网络环境,通常需要使用多种网络协议分析设备对网络数据内容进行分析。为了降低网络分析成本和提升网络分析效率,设计并实现能够适应混合网络的多协议网络分析设备具有重要的研究意义和应用价值。本文主要研究支持以太网和光纤通道(Fibre Channel,FC)的网络协议分析仪的整体结构以及设计相关硬件数据通路,实现对网络设备进行协议分析和测试的功能。本文首先通过FCoE(Fibre Channel Over Ethernet,以太网光纤通道)网络协议将以太网和FC进行对比,确定两种网络协议使用同一个数据通路捕获的可行性;接着提出多协议网络分析仪的整体设计方案和其数据通路在FPGA上的IP核设计与实现方案;最后构建测试平台,对网络分析模块的功能进行测试。测试结果表明:本文的方案支持以太网协议和FC网络协议数据帧的捕获并转发至上位机然后借助商用软件对其进行分析;端口能支持千兆以太网和万兆以太网以及2G/4G/8G等多种不同速率的FC网络;测试模式下端口可以和连接设备直接建立连接,且能发出多种类型的帧;各链路均正确有效,达到多协议网络分析的效果。
其他文献
二维GaSe是一种金属硫族化合物半导体,其具有优异的电学和光学特性。但二维GaSe具有可见光区吸收强度低、吸收光谱范围窄等问题,使得其在光电器件领域的应用受到了一定的限制。通过构建二维GaSe范德华异质结,不仅能够改善单一材料的缺点,并且可以获得一些新的特性,使得其应用范围更加广泛。本文采用第一性原理方法,研究了GaSe/ZnS、GaSe/SiC范德华异质结的电学特性和光学特性,并且通过施加双轴应
学位
近年来,随着环境中射频能量的日益增多以及电子产品低功耗技术的发展,由于环境中射频能量主要以2.45 GHz的Wi-Fi频段为主,属于弱能量密度的范畴。其中微波无线能量传输(MWPT)作为一种利用环境中的射频能量实现能量传输的技术,其能量传输效率的大小,将有利于实现电子产品的低功耗。研究表明,MWPT的传输效率主要由接收天线经整流电路完成RF-DC能量转换的整流效率决定。其中,整流器件作为整流电路实
学位
随着摩尔定律和集成技术的深入发展,不断缩小IC特征尺寸越来越受到人们的关注。而半导体产业与国防事业的发展息息相关,尺寸的减小导致IC芯片因辐照出现问题的次数越来越频繁,极大影响了国防设备的可靠性。所以,从长远角度来看,Fin FET器件单粒子效应及加固技术的研究会成为影响国防及航空航天事业发展的一个重要因素,对IC领域研究方向具有指导作用。尤其对于我国高速发展的国防事业,在电路研发过程中,需要特别
学位
近年来钙钛矿太阳电池研究发展迅速,其实验室效率已超过25%,接近硅电池的效率记录,受到广泛关注。然而,无论钙钛矿电池或硅电池的效率都接近单结太阳电池理论极限,效率提升空间有限。叠层电池技术是打破效率极限的有效方法,可以通过堆叠不同禁带宽度的太阳电池,拓宽光谱吸收范围,从而大幅提升器件效率。钙钛矿电池因其高效、工艺简单和带隙可调等特点,十分适用于制备叠层电池。本文围绕两端全钙钛矿叠层电池、两端硅基钙
学位
β-Ga2O3作为新型超宽禁带半导体材料,相比其他半导体材料,禁带宽度更大,并且在波长大于300 nm波段的透过率大于80%,具有优异的光电特性和稳定的物化性质等。因此,β-Ga2O3材料在日盲紫外探测领域具有极大的优势。本文首先采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在c面蓝宝石衬底上制备了β-Ga2O3薄膜,主要研究衬底温度和生长压力对薄膜特性的影响,并对比不同压力下制备的紫外探测器光电性能
学位
铁电存储器作为新型非易失性存储器的一种,具有纳秒级的读写速度、低功耗、非易失以及抗辐照特性好等优势,非常适合应用于嵌入式存储器领域。2011年,德国研究人员提出并发现掺杂氧化铪(Hf O2)薄膜具备铁电性,使得铁电存储器又获得了高度关注。然而,经过了十年之久的研究,掺杂Hf O2铁电薄膜至今仍然没有在工业界实现应用。其面临的主要问题是操作电压较高,疲劳特性差等。此外,具有多晶结构的掺杂Hf O2铁
学位
氧化镓(Ga2O3)作为新一代超宽带隙半导体材料,由于其优异的材料特性被广泛应用于高压、大功率以及高频等领域。目前,由于工作安全以及生产成本的需求,增强型MOSFET在功率器件应用领域具有显著优势。为缩短开发周期以及降低生产成本,基于TCAD仿真软件的计算辅助设计应运而生,极大地加快了实验进程。基于上述原因,本文使用仿真软件对Ga2O3 Fin FET和Ga2O3 Fe FET两种增强型器件进行仿
学位
功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor,简称MOSFET)作为电力电子产业的核心零部件,它的性能水平密切影响着该行业的发展。目前制约功率MOSFET性能提升的主要问题之一是击穿电压(Breakdown Voltage,简称BV)与比导通电阻(Specific On Resistance,简称Ron,sp)之间的矛盾关系。
学位
自2009年以来,有机-无机杂化钙钛矿太阳电池的功率转换效率(PCE)已经从最初的3.8%增加到25.8%,被公认为下一代性价比较高的光伏技术。但有机-无机杂化钙钛矿太阳电池的稳定性缺陷一直是阻碍其商业化的关键因素,而使用无机离子替换有机离子可以有效避免环境因素对钙钛矿材料稳定性的影响。在众多的无机钙钛矿太阳电池中,全无机碳基CsPbIBr2钙钛矿太阳电池因其低成本、平衡的带隙和良好的稳定性而受到
学位
采用传统的Al GaN/GaN异质结结构的GaN HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)器件表现出常开特性,造成其应用困难,因此,增强型GaN基功率器件受到了广泛的关注与研究。目前,采用增强型Si MOSFET(Silicon Metal-OxideSemiconductor Field Effect Transistor)器
学位