有机半导体材料作为有机场效应晶体管(OFET)的重要组成部分,起着载流子传输的作用,有机半导体材料的分子及分子聚集态结构决定了OFET的器件性能。因此,设计、合成综合性能优良的有机半导体材料具有重要的意义。本论文设计合成了一系列新型有机半导体材料,通过光谱、电化学等方法对其能级关系进行了研究,制备了场效应晶体管,研究其电学性能,并对小分子的微纳结构、高分子有机薄膜的形貌及其对器件电学性能的影响进行了探讨。主要包括以下两方面的工作:　　 1.以萘二酰亚胺为母核,合成了四个N-型有机小分子半导体材料,经1H-NMR,13C-NMR,质谱,红外,元素分析或高分辨进行了结构确定。紫外和电化学显示分子LUMO能级在(-3.67)—(-3.90)eV之间,能隙在1.71-2.55eV之间。利用无模板自组装的方式在密闭容器中培养出比较好的纳米线,单晶结构显示分子在单晶中是采用部分交叠的π-π堆积方式进行排列的,两分子间的间距为3.46(A)。　　 2.以萘二酰亚胺为电子受体,分别以苯,连二噻吩,并二噻吩为电子给体,以三键为键连单元,以Sonogashira偶联和Stille偶联合成了一系列溶解性良好的N-型高分子有机半导体材料。利用1H-NMR,红外,元素分析及GPC对高分子进行了结构的表征。紫外和电化学显示分子LUMO能级在(-3.73)—(-3.78)eV之间,能隙在1.61-1.66eV之间,制备了其有机薄膜场效应晶体管,初步测试结果显示在空气中的迁移率在10.4-10-6cm2·V-2·s-1。