近年来,科研工作者们对于低维半导体材料的研究工作不断升温,低维半导体材料独特优越的结构特点为研究电学性能提供了重要的材料基础。伴随着科研事业的不断发展,低维半导体材料体系的负光电导效应逐渐进入人们的视野,激发了人们的研究热情。而六方三氧化钨因其优越独特的结构特性、高的环境稳定性、特殊的电子能带结构、出色的光（电、热）变色特性以及高的电阻切换能力等特点成为低维半导体材料中的热门材料之一。其一维纳米线结构更是为器件的构筑和性质的研究提供了理想的平台。单晶六方三氧化钨纳米线大的比表面积和多的内部孔道成为研究材料体系负光电导特性的重要材料。本文主要研究六方三氧化钨纳米线的制备、器件的构筑以及红光诱导下三氧化钨纳米线的负光电导现象和产生负光电导的机理。本论文的主要研究成果分为以下几个方面:1.六方三氧化钨纳米线的制备和表征。六方三氧化钨纳米线,我们使用的是水热法将其制备出来的。通过扫描电子显微镜、EDS能谱、X射线衍射仪、拉曼光谱仪等表征方法证实我们制备出了结晶性好,晶格质量高,长度粗细均匀、表面光滑的没有杂质的三氧化钨纳米线。2.六方三氧化钨纳米线器件的构筑。利用深紫外光刻、镀膜以及剥离等工艺技术构筑WO₃纳米线的双端器件Au/h-WO₃纳米线/Au。通过电子束曝光技术实现了器件沟道宽度的调节,构筑了窄沟道的WO₃纳米线器件。在这个基础上我们基于Au/h-WO₃纳米线/Au的双端器件系统地研究了它的电输运性能。3.六方三氧化钨纳米线的负光电导性能研究。通过2602仪器对器件进行负光电导性能的测试,通过调节红光激光强度、测试环境的湿度、温度等条件对WO₃纳米线双端器件进行了测试,我们发现在红光的作用下器件同样可以展示出稳定的负光电导性能,通过调节外界条件可以实现负光电导的调控,并解释了其产生负光电导的机理。