半导体量子点玻璃是一类重要的复合纳米材料，在纳米科技中占有重要地位。半导体在玻璃基体中生长形成具有纳米尺寸的量子点，这是一个三维受限的准零维结构，具有显著的量子尺寸效应、库仑阻塞效应、介电受限效应等许多不同于三维固体材料的新现象、新效应。将掺有一定比例CdS和CdSe半导体的玻璃基体放在900K恒温炉中，用一步退火法得到了一系列不同尺寸的半导体CdSeS量子点样品，本文中量子点样品的生长时间分别为1、4、8和16小时，分别记为1H、4H、8H和16H。通过HRTEM分析显示CdSeS量子点结晶良好。 非线性电学材料是其电流--电压(即伏安特性曲线)不满足通常的欧姆定律而呈非线性变化的一类功能材料。本文的主要目的就是实验测量样品1H、4H、8H和16H的非线性电学性质。实验研究了样品1H、4H、8H和16H的介电弛豫过程，样品1H、4H、8H和16H的弛豫时间与所加电压、量子点半径的关系，样品1H、4H、8H和16H的伏安特性曲线和电学非线性系数，样品1H、4H、8H和16H的电学非线性系数与量子点半径的关系。在实验的基础上，也对这种非线性现象作了一些理论分析。 本文研究了CdSeS量子点玻璃的非线性电学性质，得出了一些结论。实验还存在有待改进的地方，如延长测量时间、尽量排除湿度对实验结果的影响、排除温度变化对实验结果的影响、排除电压源的不稳定对实验结果的影响等，这方面的内容在论文中进行了具体分析讨论。