硅微结构在太阳能电池,光电探测器件以及传感器等领域都有着广泛的应用,制备硅微结构的方法有很多,但是金属粒子辅助化学刻蚀法被认为是最简单,最有效,最经济实惠的制备方法。本文主要利用金属辅助化学刻蚀原理,在硅衬底上分别制备多孔硅和硅纳米线。通过改变刻蚀时间和氧化剂浓度来观察多孔硅和硅纳米线结构变化,同时也对制备硅纳米线的工艺进行了优化,并分析了硅纳米线顶端团簇形成的原因。随着刻蚀时间和氧化剂浓度的增加,多孔硅孔径变大,孔壁变薄,孔洞不均匀;当氧化剂浓度为0.5mol/L,刻蚀时间为15min时,制备出多孔硅的孔洞尺寸均匀且表面形貌较好;孔隙率随着刻蚀时间增加而先增大后减小;反射率的变化与刻蚀时间近似成反比的关系;硅纳米线长度随着刻蚀时间和氧化剂浓度的增加而增加;对硅纳米线工艺流程进行优化后,在硅衬底上制备出来的纳米线没有发现大面积的倒塌现象;在范德华力、表面张力和弹性变形力三种力的相互作用下硅纳米线产生了顶端团簇。