本文主要工作从化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition,CVD）制备二硫化钼出发,从单晶二硫化钼纳米片的可控合成,到厘米级连续型薄膜的制备等方面展开了相应研究,并对二硫化钼薄膜光探测器件进行性能测试,分析了薄膜结晶情况对性能影响。通过对二硫化钼生长过程中的气流流速、生长温度、生长时间、前驱物的量等参数进行控制,找到一个适合大面积二硫化钼纳米片单晶生长的CVD条件,实现了MoS₂的可控生长。为了生长连续MoS₂薄膜,再次改善生长工艺。成功地在SiO₂/Si基底上制备了1 cm x 1 cm的连续型单层二硫化钼薄膜。在光学显微镜、原子力显微镜和拉曼光谱的表征下,证明我们得到的薄膜具有高度的单层均匀性。通过给MoS₂薄膜镀上Cu电极,制作了较为简单的光探测器件。采用660/532/450 nm激光器对其光探测性能进行测试,发现光响应度随着光功率的增加而减弱,说明单层二硫化钼探测器在捕捉弱光的能力更加灵敏。此外发现在660 nm激光器激发下,结晶度较低薄膜的光电导反而下降,呈现负光电导特性（Negative Photoconductivity,NPC）,而在结晶度高的薄膜中,光电流有较小提升。在论文最后,对结晶度与光电导之间联系展开了一定讨论,初步推断禁带中束缚激子与导带中自由激子对载流子的影响具有竞争关系。