【摘 要】
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用射频溅射法在蓝宝石和硅衬底上制备出磷、镓共掺杂的ZnO薄膜,经过过真空退火薄膜可变为P型.射频溅射时所用ZnO靶中掺入的PO和GaO的重量百分比分别为5wt﹪和0.2wt﹪.在溅射功率
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用射频溅射法在蓝宝石和硅衬底上制备出磷、镓共掺杂的ZnO薄膜,经过过真空退火薄膜可变为P型.射频溅射时所用ZnO靶中掺入的P<,2>O<,5>和Ga<,2>O<,3>的重量百分比分别为5wt﹪和0.2wt﹪.在溅射功率为200W,氧偏压为5x10<-3>帕,衬底温度为350℃在蓝宝石衬底上制备的薄膜,在800℃真空环境中退火40分钟后,薄膜的导电类型呈P型,空穴载流子浓度可达1.6×10<18>cm<-3>,电阻率只有0.37Ωcm.实验表明,制备条件对薄膜性质有重要影响.
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