单晶碳化硅具有良好的热特性、电气特性、耐磨性和较高的硬度,广泛应用在半导体照明、航空航天、信号传输、雷达等众多领域,发展前景十分广阔。无论是作为半导体的衬底,还是制作集成电路材料,均对其表面加工精度和完整性有着非常严格的要求,传统的加工方法存在基片表面损伤严重,效率低、成本高等诸多缺点,无法满足全局平坦化的加工目标。针对碳化硅基片加工中存在的问题,本文提出了碳化硅基片的软磨料研磨加工方法,针对碳化硅基片材料的特性,本文综合运用正交实验法、单因素实验研究和极差分析的方法,对SiC单晶片进行研磨试验,首先优化了研磨膏成分含量,设计了粒度、研磨盘转速、载物盘转速、研磨压力对材料去除率和表面粗糙度影响的单因素实验,最后分析了研磨膏的去除原理,深入探讨了单磨粒研磨的加工运动机理。实验表明：软磨料砂轮磨削碳化硅基片可以获得超光滑低损伤的加工表面：研磨膏的最优配方为助研剂8%,分散剂28%,增稠料20%,润滑料18%,磨料6%,调和剂20%；研磨压力和磨料粒径对材料的去除率影响较大；研磨盘的转速比载物盘的转速对去除率影响要大,通过研磨机理分析验证了实验结果的正确性。为同行们继续研究碳化硅基片超精密加工提供了参考数据。