宇宙空间中的辐射射线会干扰航天器的正常运行，随着集成电路的工艺尺寸不断缩小，作为航天器电子设备的核心部件—芯片也越容易受单粒子翻转(SingleEvent Upset, SEU)影响而产生错误。目前评估SEU对芯片的影响主要通过实验和模拟这两种方法，实验的方法成本高且周期长，而模拟的方法不仅成本低并且能在设计的初期提供芯片的软错误评估。因此，有必要对SEU的模拟验证技术进行深入的研究。另外，由于单粒子瞬态(Single Event Transient, SET)在组合逻辑电路中传播时存在脉冲展宽的效应，为了更准确地计算电路的软错误率，必须将这种效应考虑到计算软错误的算法中。本文的工作主要有以下几点：1.本文通过分析SET在组合逻辑电路中传播时存在的脉冲展宽效应，提出了一种计算经过传播后的瞬态脉冲宽度的方法。使用这种方法的计算结果与Hspice仿真结果比较相近，最大误差不超过4%。该方法不仅完善了评估电气掩蔽效应的算法，也为定量地分析SEU的产生提供了有效方法。2.本文利用基本的组合逻辑门和触发器对SEU进行建模，由于该模型是基于门级建模，所以可以达到较快的模拟速度。同时，由于在模型中增加了特定的控制逻辑，这使得文中所建立的模型可以避免未注入SEU触发器的错误翻转而引起的错误输出，从而提高了SEU模拟的准确性。3.根据所建立模型的功能和软/硬件模拟的特点，本文分别设计了对应的模拟系统。通过在模拟系统中加入特定的模块统计网表中各个触发器所引起的输出错误数，从而可以指导设计人员对电路中的敏感触发器进行抗辐射加固。对ISCAS’95基准电路进行软/硬件模拟，其结果显示文中所设计的两种模拟系统的模拟结果是一致的，由此可以认为本文所设计的软/硬件模拟系统是可以用于单粒子翻转模拟的，所建立的模型也是准确的。比较两种系统在模拟时所消耗的时间，硬件模拟系统在模拟速度上较软件模拟系统至少有两个数量级以上的优势。在综合比较两种模拟系统的实现难易程度和模拟速度后，可以得到如下结论：对于规模较小的电路可以通过软件模拟系统进行模拟，对于规模较大的电路则可利用硬件模拟系统进行模拟。因此，基于基本逻辑门的电路级模拟可以满足对不同规模的电路进行SEU模拟的要求。