目前二维半导体材料受到广泛关注，过渡金属硫化物，磷烯，砷烯等二维材料因其良好的电学、光学等性质而被广泛研究。　　鉴于二维半导体材料的电子器件在实际应用领域的要求，对电子性质的可控调制显得越发重要.研究表明，二硫化钼、黑磷烯、砷烯等材料的能带结构能通过应力来改变.同时引入空位缺陷也能对能带结构进行调控.本文通过第一性原理方法研究了过渡金属硫化物，如黑磷烯，两种砷烯(buckled-，puckered-)的结构模型及能带结构.进一步讨论了空位对buckled砷烯电子结构的影响，以及加入双轴应力后，二硫化钼、黑磷烯、砷烯电子结构的变化规律.　　考虑几种不同的空位对buckled砷烯的影响，发现无论空位位置如何，禁带宽度明显比无空位时的禁带宽度要小.微小的双轴应力并没有改变黑磷烯的直接带隙类型，只是使禁带宽度的大小发生变化.两种砷烯结构在双轴应力时都由间接带隙转变为直接带隙半导体，禁带宽度也会随应变的不同而变化，转变为直接带隙时价带顶和导带底所在对称点不同.双轴压缩应力使二硫化钼由间接带隙转变为直接带隙半导体，双轴拉伸时，则由直接带隙转变为间接带隙半导体.