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氮化镓基发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)具有驱动电压低,温度特性好,效率高和材料绿色环保的特点,已被人们深入研究并广泛应用在照明、显示、测量和通信等领域。但普通的发光二极管结构由于全反射的影响,提取效率低。谐振腔发光二极管(Resonant cavity green light-emitting diode,RCLED)具有实现高提取效率、高频谱纯洁度、高温度稳定性和高调制带宽的潜力。此外,绿光LED需要应用高铟组分铟镓氮量子阱;高铟组分导致晶格失配和大的应力,进而带来缺陷和极化问题,最终使光效恶化。本文利用数值仿真的方法研究高出光功率的绿光RCLED。首先进行谐振腔长和分布式布拉格反射镜(Distributed Bragger Reflector,DBR)对数的优化,给出了经过结构优化后的绿光RCLED的基本性能;引入了三种梯形渐变量子阱,提升芯片内量子效率;研究了器件芯片尺寸和温度对RCLED性能的影响;分析了极化电荷密度、俄歇(Auger)复合系数和肖克莱-里德-霍尔(Shockley Read Hall,SRH)复合寿命对于氮向非对称梯形量子阱(Nitrogen face-oriented inclination asymmetric trapezoidal QWs,NOAT-QWs)和常规量子阱(Symmetric square QWs,SS-QWs)的影响。结果表明,随着谐振腔厚度增加,出光功率发生震荡,出光功率(Light Output Power,LOP)达到极大值时n-GaN和p-GaN的厚度分别为1710和200nm,极大值与极小值相差1.45倍。随着DBR对数增加,RCLED的LOP和半高全宽持续下降,因此需要根据应用场景选择DBR的对数。与常规量子阱的绿光RCLED相比,应用了渐变量子阱的绿光RCLED的内量子效率提升了30%,LOP最高提升1.53倍。在相同的电流密度下,随着尺寸的增加,发光面积增大,辐射总量增大,出光功率增大。小尺寸芯片虽然光功率低,但是内部热源密度也低,内量子效率较高,量子阱辐射谱温度稳定性好。高温易导致电子泄漏,使得芯片性能下降。在存在极化场的情况下,采用NOAT-QWs的RCLED总比SS-QWs RCLED的光效要高。而对于无极化情况,SS-QWs提升了空穴浓度的均匀性,因此效率要高于NOAT-QWs RCLED。对具有各种Auger复合系数和SRH复合系数的RCLED中,小尺寸芯片的光效总是要优于大尺寸芯片,且NOAT-QWs RCLED的性能总是要优于SS-QWs RCLED,即,无论非辐射复合系数增加还是减少,NOAT-QWs都表现出更优异的性能。