石墨烯的发现填补了二维材料领域的空白,因其特殊的原子结构,而具有优异的电学、力学、光学等性能,一直被视为是理想的柔性电子器件材料,成为许多科研人员的研究热点,引起了学术界的研究热潮。同时也推动了其他二维材料的发现及制备,例如过渡金属二硫族化物材料中研究比较成熟的二硫化钼,由于其具有很大的带隙,在晶体管等电子器件领域具有广泛的应用前景。近年来对于二维材料的制备工作发展迅猛,主流的制备方法包括机械剥离法、液相剥离法、化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD)等。其中化学气相沉积法因其相对低廉的制备成本和便捷的操作等优势,而受到许多二维材料领域的研究学者的关注。但是目前化学气相沉积法需要高温的条件,这对于工业化生产二维材料来说是一个很大的限制,因此还需要进一步发展制备方法以降低制备二维材料所需的温度,从而满足工业化生产的要求。本文通过等离子体增强化学气相沉积法(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在铜基底上制备单层石墨烯薄膜,利用等离子体增强技术常温下活化反应气体,在较低反应温度下进行化学气相沉积形成石墨烯薄膜,同时利用铜管的屏蔽作用的方法,降低等离子体对已形成的石墨烯薄膜的离子轰击效应,减少石墨烯薄膜的缺陷,有效地抑制垂直方向的生长,从而能够在低温下制备大面积均匀连续的单层石墨烯。此外我们探究了氢气流量、铜基底位置、有无铜管、反应温度和激发功率等因素对制备结果的影响,并对低温下制备石墨烯薄膜的机理进行相应的探讨。同时利用熔融盐辅助常压化学气相沉积法进行了低温下制备二硫化钼的研究,发现在硅片边缘区域,二硫化钼的晶畴比直接沉积区域的二硫化钼的晶畴大且形核密度低、层数少。通过探究三氧化钼和氯化钠的质量、载气流量对生长结果的影响,制备出晶畴大约为400μm的单层二硫化钼,并对制备大晶畴的二硫化钼的机理进行了简要地阐述,对后续制备连续单层二硫化钼提供思路。