GaN基LED具有节能环保、亮度高、寿命长等特点，广泛应用于室内照明、指示灯、显示屏、汽车工业等领域，近几年来硅衬底GaN基LED得到了广泛关注和研究，并取得了很多重大突破，具有很大的应用价值和发展潜力。但是由于应用时间较短，大功率LED器件的可靠性成了大家比较担心的问题。因此本文研究了硅衬底大功率GaN基绿光和白光LED的制备、老化特性和温度特性，得出了如下结果：1、用MOCVD系统制备了三组硅衬底大功率GaN基绿光LED，并在500mA的电流应力下加速老化1000h，研究其老化特性。结果表明，它们的电学性能和峰值波长基本保持不变，光功率、光通量和相对EQE略微降低，但是老化了1000h后的光功率只降低到了老化前初始值的97.5%左右，所以这三组硅衬底大功率GaN基绿光LED在大电流老化下性能稳定，说明硅衬底大功率GaN基绿光LED的生长工艺有较大温度窗口，其器件的可靠性能满足各种应用。2、通过大功率蓝光LED与黄光荧光粉结合的方式制备了三种硅衬底GaN基白光LED：直涂荧光粉灌胶LED、滴荧光粉灌胶LED和完全荧光粉灌胶LED，并在500mA的电流应力下加速老化240h，研究其老化特性。结果表明，老化后LED的光通量降低，显色指数略微升高，色温基本不变，光谱图中白光颜色成分比例也变化不大，说明它们在大电流下工作光电性能稳定，可靠性好。3、研究了硅衬底大功率GaN基绿光和白光LED从297K（室温）到447K过程中的温度特性。结果表明，随着温度的升高，绿光和白光LED的反向漏电流增大，电压下降，光通量下降，峰值波长发生红移，光谱也随之变化；白光LED的电压与温度的关系系数K值为-1.2mV/K；白光光谱中蓝光的比例先减小后增大，黄光的比例先增大后减小，所以封装白光LED时要根据实际应用情况对白光的参数进行设计。