与同质结双极型晶体管相比，异质结双极型晶体管具有更为优越的频率特性。在众多HBT材料体系中， InGaP/GaAs材料的选择腐蚀比较高，且材料内部不存在深能级的复合中心，且具有较强的抗辐照性能，因此InGaP/GaAs HBT受到广泛的关注和研究，特别是在航天、军事、核辐射等应用领域。本文采用Win公司提供的InGaP/GaAs HBT开展了γ射线辐照实验，观察了辐照效应并研究了退化机理。对InGaP/GaAs HBT进行不同总剂量的γ辐照实验，γ辐照总剂量最高达10Mrad(Si)。辐照后InGaP/GaAs HBT的基极电流上升，造成电流增益下降；退火后基极电流继续上升，以上两种变化幅度都随着总剂量的增大而增大。辐照后InGaP/GaAs HBT的截止频率下降，下降幅度也随着γ总剂量的上升而增大；退火后截止频率略有下降。分析了辐照后器件特性退化的机理。基极电流上升的直接原因是辐照引起发射区少数载流子寿命的下降，根本原因是γ辐照引起的界面态密度上升；特征频率下降，这是由辐照引起基极集电区空间电荷区电子迁移率减小影响的，从物理机理上说是辐照在半导体器件内部产生了位移损伤，导致载流子的散射几率上升，从而使迁移率下降。对InGaP/GaAs HBT的VBIC模型进行了研究。研究了VBIC模型的建立方法，建立了一个简化的VBIC模型。根据辐照实验的结果对用来描述InGaP/GaAs HBT的VBIC模型进行了修正。在直流方面，改进了其基极电流公式，在其非理想系数IBEN中引入了一个与辐照有关的变量，修正后的基极电流公式可以很好的描述基极电流随着γ辐照总剂量的变化关系。在交流方面，改进了传输时间函数表达式，在正向传输时间TF中引入辐照因子，修正后的模型很好的反映了辐照后InGaP/GaAs HBT的特征频率的变化。