原子间相互作用调制NbMoTaW难熔高熵薄膜

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按照近等摩尔比混合的多主元合金,被认为是能够保持简单晶体结构的无序固溶体,局域结构是决定其性能的关键因素。制备高熵薄膜可以获得成分更均匀、结构更无序的材料,有利于通过仅由原子间相互作用形成的局域结构变化调制高熵合金性能的研究。本文选用弱相互作用组元V以及强相互作用组元O来调制NbMoTaW薄膜的局域结构,采用射频磁控溅射方法分别制备了(NbMoTaW)_(100-x)V_x(x=0~30.5,at%)和(NbMoTaWV)_(100-x)O_x(x=0~53.63,at%)系列薄膜。对其微观结构/成
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